Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT80TS65DGC13
RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor


rgt80ts65dgc13-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.13 EUR
53+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 236 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 234 W.

Weitere Produktangebote RGT80TS65DGC13 nach Preis ab 6.29 EUR bis 17.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Hersteller : Rohm Semiconductor rgt80ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+6.82 EUR
25+ 6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBT Transistors 650V MOTOR DRIVER IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 255-259 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17.69 EUR
10+ 15.17 EUR
100+ 12.65 EUR
250+ 11.16 EUR
600+ 10.05 EUR
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Hersteller : ROHM 3437336.pdf Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
Produkt ist nicht verfügbar