PZT651T1G ON Semiconductor
auf Bestellung 133000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PZT651T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PZT651T1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 133000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 232000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 232000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN |
auf Bestellung 13898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 17915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |