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PZT2907AT1G

PZT2907AT1G ON Semiconductor

pzt2907at1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details PZT2907AT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT2907AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi pzt2907at1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi PZT2907AT1_D-2319792.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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2000+ 0.24 EUR
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : onsemi pzt2907at1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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31+ 0.57 EUR
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI pzt2907at1-d.pdf Description: ONSEMI - PZT2907AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI 1750830.pdf Description: ONSEMI - PZT2907AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10350 Stücke:
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2907AT1G Hersteller : ON-Semicoductor pzt2907at1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT223 PZT2907AT3G PZT2907AT1G TPZT2907a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 200
PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI ONSMS36269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - PZT2907AT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 456566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PZT2907AT1G PZT2907AT1G
Produktcode: 20920 		Hersteller : ON PZT2907AT1.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2907at1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI PZT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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PZT2907AT1G PZT2907AT1G Hersteller : ONSEMI PZT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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