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Technische Details IXA70R1200NA IXYS
IGBT Module, High Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor.
Weitere Produktangebote IXA70R1200NA nach Preis ab 40.27 EUR bis 51.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXA70R1200NA | Hersteller : IXYS | Description: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN |
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IXA70R1200NA | Hersteller : Littelfuse |
 IGBT Module, High Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor |
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