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Technische Details IXA55I1200HJ IXYS
Description: IGBT 1200V 84A 290W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Switching Energy: 4.5mJ (on), 5.5mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 84 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 290 W.
Weitere Produktangebote IXA55I1200HJ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| IXA55I1200HJ | Hersteller : IXYS |
 IXA55I1200HJ THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 84A 290W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXA55I1200HJ | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1200V 84A 290W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Switching Energy: 4.5mJ (on), 5.5mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 84 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 290 W |
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