Produkte > IXYS > IXA4IF1200TC
IXA4IF1200TC

IXA4IF1200TC IXYS


IXA4IF1200TC.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO268
Power dissipation: 45W
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+71.5 EUR
3+ 23.84 EUR
4+ 17.88 EUR
9+ 7.95 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXA4IF1200TC IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Case: TO268, Power dissipation: 45W, Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 5A, Pulsed collector current: 9A, Turn-on time: 110ns, Turn-off time: 350ns, Type of transistor: IGBT, Gate charge: 12nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote IXA4IF1200TC nach Preis ab 71.5 EUR bis 71.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXA4IF1200TC IXA4IF1200TC Hersteller : IXYS IXA4IF1200TC.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO268
Power dissipation: 45W
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 12nC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+71.5 EUR
IXA4IF1200TC IXA4IF1200TC Hersteller : IXYS ixyss09859_1-2272798.pdf IGBT Transistors XPT IGBT Copack
Produkt ist nicht verfügbar