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IXA40RG1200DHGLB

IXA40RG1200DHGLB IXYS


IXA40RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 43A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Power dissipation: 215W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXA40RG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 43A, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 105A, Power dissipation: 215W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXA40RG1200DHGLB IXA40RG1200DHGLB Hersteller : IXYS IXA40RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 43A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Power dissipation: 215W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
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