ISP12DP06NMXTSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 8819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 1.51 EUR |
| 10+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.59 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISP12DP06NMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ISP12DP06NMXTSA1 nach Preis ab 1.35 EUR bis 1.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP12DP06NMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
ISP12DP06NMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
ISP12DP06NMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
ISP12DP06NMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
ISP12DP06NMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |