ISC015N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5000+ | 1.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISC015N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 206A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ISC015N04NM5ATMA1 nach Preis ab 1.23 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISC015N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC015N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 8533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC015N04NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 206A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
ISC015N04NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 206A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 115W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |