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IRL3713PBF

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irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
Produktcode: 35005
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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JHGF: THT
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Technische Details IRL3713PBF IR

  • MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:200A
  • On State Resistance:0.003ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.003ohm
  • Power Dissipation:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:1040A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Möglichen Substitutionen IRL3713PBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923 		Hersteller : VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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JHGF: THT
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IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923 		Hersteller : VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3713-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL3713_DataSheet_v01_01_EN-3363570.pdf MOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3713.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLB3034PBF
Produktcode: 36195		 irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Дротяний припій, 0,7mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g
Produktcode: 62038		 description cynel.pdf
Дротяний припій, 0,7mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Mittel zum Weichlöten
Gewicht: 100g.
Durchschnitt: 0,7mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
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erwartet 198 Stück:
180 Stück - erwartet 21.06.2024
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BZV55-C5V1
Produktcode: 4297		 BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 5,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 1803 Stück
erwartet: 4000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.028 EUR
1000+ 0.018 EUR
ST13009 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3722		 ST13009.pdf
ST13009 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 12
h21: 39
ZCODE: THT
verfügbar: 225 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.57 EUR
10+ 0.53 EUR
100+ 0.38 EUR
100uF 16V ECR 5x11mm (ECR101M16B-Hitano)
Produktcode: 3628		 description ECR_081225.pdf
100uF 16V ECR 5x11mm (ECR101M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 280 Stück
erwartet: 20000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.03 EUR
100+ 0.014 EUR
1000+ 0.011 EUR