IRL2910STRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL2910STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRL2910STRLPBF nach Preis ab 1.63 EUR bis 5.33 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRL2910STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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