IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPN70R750P7SATMA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.86 EUR
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN70R750P7SATMA1 Produktcode: 193676 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPN70R750P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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