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IPN60R600PFD7SATMA1

IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPN60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c5b5c39ec Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
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Technische Details IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN60R600PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-2399803.pdf MOSFET CONSUMER
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IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c5b5c39ec Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
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IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 Hersteller : INFINEON 3049667.pdf Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 Hersteller : INFINEON 3049667.pdf Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf 600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
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IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
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