IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11.4A, On-state resistance: 0.31Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 104.2W, Polarisation: unipolar, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPI65R310CFDXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104.2W Polarisation: unipolar Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPI65R310CFDXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3 |
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IPI65R310CFDXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104.2W Polarisation: unipolar Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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