IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3, Case: PG-TO262-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 104W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ CP, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPI60R250CPAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPI60R250CPAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 12A I2PAK-3 |
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IPI60R250CPAKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
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