Produkte > SEMIQ > GHXS050A170S-D3
GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3 SemiQ


GHXS050A170S_D3-1916809.pdf Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 114-118 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+87.67 EUR
10+ 78.11 EUR
20+ 73.46 EUR
50+ 71 EUR
100+ 68.57 EUR
200+ 66.11 EUR
500+ 63.06 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details GHXS050A170S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V.

Weitere Produktangebote GHXS050A170S-D3 nach Preis ab 261.21 EUR bis 278.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 Hersteller : SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+278.89 EUR
10+ 261.21 EUR