FDC6303N ON Semiconductor
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Technische Details FDC6303N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDC6303N nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC6303N | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6303N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6303N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
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FDC6303N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6303N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 N-CH 25V |
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FDC6303N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
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FDC6303N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FDC6303N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FDC6303N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6303N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6303N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6303N | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC6303N | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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