DRDNB16W-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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Technische Details DRDNB16W-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DRDNB16W-7 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DRDNB16W-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DRDNB16W-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Digital Transistors NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr |
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DRDNB16W-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DRDNB16W-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DRDNB16W-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 600mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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