BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
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Technische Details BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
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BSM300C12P3E301 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, ModuletariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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