1ED3250MC12HXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details 1ED3250MC12HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 10A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 110ns, Ausgabeverzögerung: 110ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote 1ED3250MC12HXUMA1 nach Preis ab 2.92 EUR bis 5.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Single-Channel Isolated Gate Driver |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
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| 1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005407359 |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Single-Channel Isolated Gate Driver |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5A, 10A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 8.5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
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1ED3250MC12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5A, 10A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 8.5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
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