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1ED3240MC12HXUMA1

1ED3240MC12HXUMA1 Infineon Technologies


Infineon_EiceDRIVER_1ED32xxMC12H_DataSheet_v01_10_-3361572.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
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Technische Details 1ED3240MC12HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 10A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 110ns, Ausgabeverzögerung: 110ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

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1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 Hersteller : INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
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Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 Hersteller : INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
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Ausgabeverzögerung: 110ns
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1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-eicedriver_1ed32xxmc12h-datasheet-v01_10-en.pdf Single-Channel Isolated Gate Driver with Two-Level Slew-Rate Control
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1ED3240MC12HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-eicedriver_1ed32xxmc12h-datasheet-v01_10-en.pdf SP005407342
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1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_1ED32xxMC12H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01790e8498044865 Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 8.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
Produkt ist nicht verfügbar
1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_1ED32xxMC12H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01790e8498044865 Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 8.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
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