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RN2103MFV(TPL3) RN2103MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2105MFV(TPL3) RN2105MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2107MFV(TPL3) RN2107MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2108MFV(TPL3) RN2108MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2109MFV(TPL3) RN2109MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2110MFV(TPL3) RN2110MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2111MFV(TPL3) RN2111MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2112MFV(TPL3) RN2112MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2113MFV(TPL3) RN2113MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2114MFV(TPL3) RN2114MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2115MFV(TPL3) RN2115MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2116MFV(TPL3) RN2116MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2117MFV(TPL3) RN2117MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2118MFV(TPL3) RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
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RN2119MFV(TPL3) RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2119MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
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RN2130MFV(TPL3) RN2130MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2130MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2131MFV(TPL3) RN2131MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2131MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2132MFV(TPL3) RN2132MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2131MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2301,LF RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
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RN2302(TE85L,F) RN2302(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM
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RN2304(TE85L,F) RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN2307(TE85L,F) RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN2308(TE85L,F) RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN2309(TE85L,F) RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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RN2310(TE85L,F) RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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RN2311(TE85L,F) RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2313(TE85L,F) RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RN2314(TE85L,F) RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2315TE85LF RN2315TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
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RN2316(TE85L,F) RN2316(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2317(TE85L,F) RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
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RN2318(TE85L,F) RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2401(T5L,F,T) RN2401(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403 Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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RN2403(T5L,F,T) RN2403(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403 Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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RN2407(T5L,F,T) RN2407(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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RN2412TE85LF RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
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RN2413TE85LF RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
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RN2422TE85LF RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2422 Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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SSM3J108TU(TE85L) SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6158&prodName=SSM3J108TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
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SSM3J112TU(TE85L) SSM3J112TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
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SSM3J117TU(TE85L) SSM3J117TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6951&prodName=SSM3J117TU Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
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TA31273FNG(EL) TA31273FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage ta31273fn.pdf Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP
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TA31275FNG(O,EL) TA31275FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TA31275.pdf Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP
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TA75W01FU,LF TA75W01FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TA75W01FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=20991&prodName=TA75W01FU Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 700µA
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 45 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
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3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TB6572AFG(O,EL) TB6572AFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6572AFG.pdf Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP
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TB6585FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6585FG Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP
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TC75S51FETE85LF TC75S51FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S51F Description: IC OPAMP GP ESV
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TC75S51F,LF TC75S51F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S51F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21004&prodName=TC75S51F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 60µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
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TC75S51FU(TE85L,F) TC75S51FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S51F Description: IC OPAMP GP USV
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TC75S60FU(TE85L,F) TC75S60FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S60FU Description: IC OPAMP GP USV
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TC75W51FU,LF TC75W51FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21022&prodName=TC75W51FU Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
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TC75W60FK(TE85L,F) TC75W60FK(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75W60FU Description: IC OPAMP GP 8SSOP
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TC75W60FU(TE12L,F) TC75W60FU(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75W60FU Description: IC OPAMP GP 8SSOP
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TC7PA34FU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PA34FU Description: IC BUFFER NON-INV DUAL 6SSOP
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TC7PG04AFE(TE85L,F TC7PG04AFE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PG04AFE Description: IC INVERTER DUAL 1INPUT ES6
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TC7PG34AFE(TE85L,F TC7PG34AFE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage tc7pg34afe.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERTER ES6
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TC7PH34FE(TE85L,F) TC7PH34FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6873&prodName=TC7PH34FE Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V ES6
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TK20A60U(STA4,Q,M) TK20A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20A60U Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
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TK40P03M1(T6RSS-Q) TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1_datasheet_en_20160217.pdf?did=1366&prodName=TK40P03M1 Description: MOSFET N-CH 30V 40A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V
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RN2103MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101
RN2103MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2105MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101
RN2105MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2107MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107
RN2107MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2108MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107
RN2108MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2109MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107
RN2109MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2110MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110
RN2110MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2111MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110
RN2111MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2112MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112MFV
RN2112MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2113MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112MFV
RN2113MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2114MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2114MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2115MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2115MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2116MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2116MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2117MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2117MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2118MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2118MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2119MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2119MFV
RN2119MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2130MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2130MFV
RN2130MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2131MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2131MFV
RN2131MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2132MFV(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2131MFV
RN2132MFV(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
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RN2301,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301
RN2301,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Produkt ist nicht verfügbar
RN2302(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2301
RN2302(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM
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RN2304(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2304(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN2307(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN2308(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2308(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN2309(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2309(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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RN2310(TE85L,F)
RN2310(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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RN2311(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310
RN2311(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2312(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2313(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RN2314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2314(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2315TE85LF docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318
RN2315TE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RN2316(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2316(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2317(TE85L,F) docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318
RN2317(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
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RN2318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2318(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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RN2401(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403
RN2401(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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RN2403(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403
RN2403(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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RN2407(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2407
RN2407(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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RN2412TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2412
RN2412TE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
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RN2413TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2412
RN2413TE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
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RN2422TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2422
RN2422TE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
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SSM3J108TU(TE85L) docget.jsp?did=6158&prodName=SSM3J108TU
SSM3J108TU(TE85L)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
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SSM3J112TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J112TU
SSM3J112TU(TE85L)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
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SSM3J117TU(TE85L) docget.jsp?did=6951&prodName=SSM3J117TU
SSM3J117TU(TE85L)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
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TA31273FNG(EL) ta31273fn.pdf
TA31273FNG(EL)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP
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TA31275FNG(O,EL) TA31275.pdf
TA31275FNG(O,EL)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP
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TA75W01FU,LF TA75W01FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=20991&prodName=TA75W01FU
TA75W01FU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 700µA
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 45 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TB6572AFG(O,EL) TB6572AFG.pdf
TB6572AFG(O,EL)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP
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TB6585FG,EL docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6585FG
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP
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TC75S51FETE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S51F
TC75S51FETE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP ESV
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TC75S51F,LF TC75S51F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21004&prodName=TC75S51F
TC75S51F,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 60µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
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TC75S51FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S51F
TC75S51FU(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP USV
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
TC75S60FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S60FU
TC75S60FU(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP USV
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TC75W51FU,LF docget.jsp?did=21022&prodName=TC75W51FU
TC75W51FU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
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TC75W60FK(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75W60FU
TC75W60FK(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 8SSOP
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TC75W60FU(TE12L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75W60FU
TC75W60FU(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 8SSOP
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TC7PA34FU(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PA34FU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INV DUAL 6SSOP
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TC7PG04AFE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PG04AFE
TC7PG04AFE(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER DUAL 1INPUT ES6
Produkt ist nicht verfügbar
TC7PG34AFE(TE85L,F tc7pg34afe.pdf
TC7PG34AFE(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTER ES6
Produkt ist nicht verfügbar
TC7PH34FE(TE85L,F) docget.jsp?did=6873&prodName=TC7PH34FE
TC7PH34FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V ES6
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60U(STA4,Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20A60U
TK20A60U(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK40P03M1(T6RSS-Q) TK40P03M1_datasheet_en_20160217.pdf?did=1366&prodName=TK40P03M1
TK40P03M1(T6RSS-Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V
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