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MJD32C-13 MJD32C-13 Diodes Incorporated ds31624.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+ 0.3 EUR
7500+ 0.28 EUR
12500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32C-13 MJD32C-13 Diodes Incorporated ds31624.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 71905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
25+ 0.73 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
MJD32C-13 MJD32C-13 Diodes Incorporated ds31624.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+ 0.74 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.36 EUR
2500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32C-13 MJD32C-13 Diodes Zetex 450116720534047ds31624.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32C-TP MJD32C-TP Micro Commercial Components (MCC) MJD32C_DPAK_-3423404.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+ 1.07 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.5 EUR
5000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32C1 MJD32C1 onsemi ONSMS32554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
MJD32C1 MJD32C1 ONSEMI ONSMS32554-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CA MJD32CA NEXPERIA 3228231.pdf Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CA MJD32CA NEXPERIA 3228231.pdf Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CAJ MJD32CAJ Nexperia USA Inc. MJD32CA.pdf Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
27+ 0.66 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MJD32CAJ MJD32CAJ Nexperia MJD32CA-1659739.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.26 EUR
5000+ 0.21 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJD32CAJ MJD32CAJ Nexperia USA Inc. MJD32CA.pdf Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+ 0.26 EUR
7500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CG MJD32CG ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+0.71 EUR
113+ 0.64 EUR
148+ 0.48 EUR
157+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 101
MJD32CG MJD32CG ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
101+0.71 EUR
113+ 0.64 EUR
148+ 0.48 EUR
157+ 0.46 EUR
1200+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 101
MJD32CG MJD32CG onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 4498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
75+ 0.52 EUR
525+ 0.44 EUR
1050+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CG MJD32CG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 41320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
75+ 0.57 EUR
150+ 0.51 EUR
525+ 0.43 EUR
1050+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CG MJD32CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.6 EUR
367+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 256
MJD32CG MJD32CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 3278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.91 EUR
318+ 0.46 EUR
525+ 0.38 EUR
1050+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD32CG MJD32CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.6 EUR
256+ 0.58 EUR
367+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 255
MJD32CG MJD32CG ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CG MJD32CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 3278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.91 EUR
170+ 0.87 EUR
319+ 0.45 EUR
525+ 0.37 EUR
1050+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD32CJ NXP MJD32C.pdf Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
MJD32CJ MJD32CJ Nexperia MJD32C-1659738.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK
auf Bestellung 4752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.56 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.18 EUR
25000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJD32CJ MJD32CJ Nexperia USA Inc. MJD32C.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CJ MJD32CJ Nexperia USA Inc. MJD32C.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
MJD32CJ MJD32CJ NEXPERIA 3228230.pdf Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CJ MJD32CJ NEXPERIA 3228230.pdf Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002527716_1-2542072.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+ 0.85 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.42 EUR
2500+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Incorporated MJD32CQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
22+ 0.84 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Zetex mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 449
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Zetex mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.29 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 565
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Zetex mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 646
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Zetex mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+ 0.3 EUR
7500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Diodes Zetex mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+ 0.3 EUR
7500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.58 EUR
3600+ 0.54 EUR
5400+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 13090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
15+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.6 EUR
10+ 1.13 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.69 EUR
1800+ 0.59 EUR
3600+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJD32CRLG MJD32CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.54 EUR
286+ 0.48 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 285
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.52 EUR
286+ 0.46 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 285
MJD32CRLG MJD32CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics MJD32C.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.82 EUR
92+ 0.78 EUR
96+ 0.75 EUR
116+ 0.62 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 88
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics MJD32C.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
92+ 0.78 EUR
96+ 0.75 EUR
116+ 0.62 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 88
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics MJD32C_Rev4_Jun2012.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics MJD32C_Rev4_Jun2012.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 7862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+ 0.93 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.46 EUR
2500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics MJD32C_Rev4_Jun2012.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
20+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics cd0016414.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
7500+ 0.22 EUR
12500+ 0.2 EUR
25000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4 MJD32CT4 STMICROELECTRONICS 2307204.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4 MJD32CT4 STMicroelectronics cd0016414.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
7500+ 0.22 EUR
12500+ 0.2 EUR
25000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4-A MJD32CT4-A STMicroelectronics en.CD00161335.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4-A MJD32CT4-A STMicroelectronics mjd32ct4_a-1849974.pdf Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS
auf Bestellung 11057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.4 EUR
2500+ 0.36 EUR
5000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CT4-A MJD32CT4-A STMicroelectronics en.CD00161335.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
23+ 0.8 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CT4-A MJD32CT4-A STMICROELECTRONICS 2309958.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4-A MJD32CT4-A STMicroelectronics mjd32ct4-a.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4-A MJD32CT4-A STMicroelectronics mjd32ct4-a.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+ 0.34 EUR
7500+ 0.33 EUR
12500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 13393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.42 EUR
2500+ 0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 16441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
5000+ 0.3 EUR
10000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.74 EUR
239+ 0.62 EUR
241+ 0.59 EUR
317+ 0.43 EUR
320+ 0.41 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 208
MJD32C-13 ds31624.pdf
MJD32C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.32 EUR
5000+ 0.3 EUR
7500+ 0.28 EUR
12500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32C-13 ds31624.pdf
MJD32C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 71905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.09 EUR
25+ 0.73 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
MJD32C-13 ds31624.pdf
MJD32C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.05 EUR
10+ 0.74 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.36 EUR
2500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32C-13 450116720534047ds31624.pdf
MJD32C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32C-TP MJD32C_DPAK_-3423404.pdf
MJD32C-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.24 EUR
10+ 1.07 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.5 EUR
5000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32C1 ONSMS32554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD32C1
Hersteller: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1402+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
MJD32C1 ONSMS32554-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD32C1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CA 3228231.pdf
MJD32CA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CA 3228231.pdf
MJD32CA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CAJ MJD32CA.pdf
MJD32CAJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+0.99 EUR
27+ 0.66 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MJD32CAJ MJD32CA-1659739.pdf
MJD32CAJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.26 EUR
5000+ 0.21 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJD32CAJ MJD32CA.pdf
MJD32CAJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.29 EUR
5000+ 0.26 EUR
7500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CG MJD31_MJD32.pdf
MJD32CG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+0.71 EUR
113+ 0.64 EUR
148+ 0.48 EUR
157+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 101
MJD32CG MJD31_MJD32.pdf
MJD32CG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+0.71 EUR
113+ 0.64 EUR
148+ 0.48 EUR
157+ 0.46 EUR
1200+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 101
MJD32CG MJD31_D-2315971.pdf
MJD32CG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 4498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.06 EUR
75+ 0.52 EUR
525+ 0.44 EUR
1050+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CG mjd31-d.pdf
MJD32CG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 41320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.18 EUR
75+ 0.57 EUR
150+ 0.51 EUR
525+ 0.43 EUR
1050+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CG mjd31-d.pdf
MJD32CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
256+0.6 EUR
367+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 256
MJD32CG mjd31-d.pdf
MJD32CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 3278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.91 EUR
318+ 0.46 EUR
525+ 0.38 EUR
1050+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD32CG mjd31-d.pdf
MJD32CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
255+0.6 EUR
256+ 0.58 EUR
367+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 255
MJD32CG ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD32CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CG mjd31-d.pdf
MJD32CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 3278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.91 EUR
170+ 0.87 EUR
319+ 0.45 EUR
525+ 0.37 EUR
1050+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD32CJ MJD32C.pdf
Hersteller: NXP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
MJD32CJ MJD32C-1659738.pdf
MJD32CJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK
auf Bestellung 4752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.56 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.18 EUR
25000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJD32CJ MJD32C.pdf
MJD32CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CJ MJD32C.pdf
MJD32CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+0.83 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
MJD32CJ 3228230.pdf
MJD32CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CJ 3228230.pdf
MJD32CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CQ-13 DIOD_S_A0002527716_1-2542072.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.11 EUR
10+ 0.85 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.42 EUR
2500+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CQ-13 MJD32CQ.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.25 EUR
22+ 0.84 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CQ-13 mjd32cq.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
449+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 449
MJD32CQ-13 mjd32cq.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
565+0.29 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 565
MJD32CQ-13 mjd32cq.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
646+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 646
MJD32CQ-13 mjd32cq.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.31 EUR
5000+ 0.3 EUR
7500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CQ-13 mjd32cq.pdf
MJD32CQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.31 EUR
5000+ 0.3 EUR
7500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.58 EUR
3600+ 0.54 EUR
5400+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 13090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.8 EUR
15+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJD32CRLG MJD31_D-2315971.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.6 EUR
10+ 1.13 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.69 EUR
1800+ 0.59 EUR
3600+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJD32CRLG 2236997.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
285+0.54 EUR
286+ 0.48 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 285
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
285+0.52 EUR
286+ 0.46 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 285
MJD32CRLG 2236997.pdf
MJD32CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4 MJD32C.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
88+0.82 EUR
92+ 0.78 EUR
96+ 0.75 EUR
116+ 0.62 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
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MJD32CT4 MJD32C.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6511 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
88+0.82 EUR
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MJD32CT4 MJD32C_Rev4_Jun2012.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.41 EUR
5000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4 MJD32C_Rev4_Jun2012.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 7862 Stücke:
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3+1.13 EUR
10+ 0.93 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.46 EUR
2500+ 0.38 EUR
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MJD32CT4 MJD32C_Rev4_Jun2012.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.37 EUR
20+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD32CT4 cd0016414.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
7500+ 0.22 EUR
12500+ 0.2 EUR
25000+ 0.19 EUR
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MJD32CT4 2307204.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1250 Stücke:
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MJD32CT4 cd0016414.pdf
MJD32CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
7500+ 0.22 EUR
12500+ 0.2 EUR
25000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4-A en.CD00161335.pdf
MJD32CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4-A mjd32ct4_a-1849974.pdf
MJD32CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS
auf Bestellung 11057 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3+0.95 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.4 EUR
2500+ 0.36 EUR
5000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CT4-A en.CD00161335.pdf
MJD32CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.2 EUR
23+ 0.8 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CT4-A 2309958.pdf
MJD32CT4-A
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4-A mjd32ct4-a.pdf
MJD32CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4-A mjd32ct4-a.pdf
MJD32CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
5000+ 0.34 EUR
7500+ 0.33 EUR
12500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4G MJD31_D-2315971.pdf
MJD32CT4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 13393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+0.97 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.42 EUR
2500+ 0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 16441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.23 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.34 EUR
5000+ 0.3 EUR
10000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
208+0.74 EUR
239+ 0.62 EUR
241+ 0.59 EUR
317+ 0.43 EUR
320+ 0.41 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 208
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