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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IR irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 836 Stück
25 Stück - stock Köln
811 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Produktcode: 122891
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IR irfz44nspbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 238 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NS
Produktcode: 152487
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infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N International Rectifier a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N International Rectifier a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N UMW a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N International Rectifier a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N IRFZ44N UMW a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
14+1.28 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44ns.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF IR irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 36167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.50 EUR
50+1.28 EUR
100+1.17 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.94 EUR
178+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+0.35 EUR
463+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 443
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.61 EUR
4000+0.57 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF International Rectifier/Infineon irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.76 EUR
10+0.65 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.61 EUR
4000+0.57 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.36 EUR
165+0.91 EUR
178+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS UMW 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS IRFZ44NS UMW 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBF IR irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.61 EUR
10+2.36 EUR
100+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRL Infineon N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRL Infineon N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.02 EUR
1600+0.99 EUR
2400+0.95 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 11589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.90 EUR
10+1.97 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.55 EUR
120+1.25 EUR
200+1.13 EUR
500+0.93 EUR
800+0.70 EUR
1600+0.65 EUR
3200+0.61 EUR
6400+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF International Rectifier IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
450+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS IR 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS IR 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS IR 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRPBF IR TO220 10+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44N International Rectifier INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRFZ44N.pdf MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
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AUIRFZ44N AUIRFZ44N International Rectifier INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 951 Stücke:
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320+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS International Rectifier INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
270+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 270
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AUIRFZ44NSTRL AUIRFZ44NSTRL Infineon Technologies AUIRFZ44NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 258
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AUIRFZ44NSTRL AUIRFZ44NSTRL International Rectifier INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 258
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Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB
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Транзистор польовий IRFZ44NS D2PAK
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IRFZ44 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+1.02 EUR
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IRFZ44N IRFZ44N
Produktcode: 1322
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IR datasheet_irfz44n.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
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IRFZ44NSPBF IRFZ44NSPBF
Produktcode: 37486
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irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF
Produktcode: 31849
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IR IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
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1+0.84 EUR
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IRFZ44N,127 IRFZ44N,127 NXP USA Inc. IRFZ44N_Rev1.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ44NL IRFZ44NL Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NS IRFZ44NS UMW 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFZ44NSPBF IRFZ44NSPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f description Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 836 Stück
25 Stück - stock Köln
811 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF
Produktcode: 122891
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irfz44nspbf-datasheet.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 238 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NS
Produktcode: 152487
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infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N a2d981f02a82712386b830ebbbca8b43.pdf
IRFZ44N
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.02 EUR
14+1.28 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF irfz44ns.pdf
IRFZ44NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 36167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.50 EUR
50+1.28 EUR
100+1.17 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.94 EUR
178+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
253+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 253
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IRFZ44NPBF INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
253+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
443+0.35 EUR
463+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 443
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.61 EUR
4000+0.57 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.76 EUR
10+0.65 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.61 EUR
4000+0.57 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.36 EUR
165+0.91 EUR
178+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
IRFZ44NS
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBF description irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.61 EUR
10+2.36 EUR
100+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRL
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRL
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.02 EUR
1600+0.99 EUR
2400+0.95 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 11589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.90 EUR
10+1.97 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.55 EUR
120+1.25 EUR
200+1.13 EUR
500+0.93 EUR
800+0.70 EUR
1600+0.65 EUR
3200+0.61 EUR
6400+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRPBF description IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44NSTRRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
450+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRPBF
Hersteller: IR
TO220 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44N INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRFZ44N.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44N INFN-S-A0003614934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFZ44N
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
320+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NS INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFZ44NS
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
270+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NSTRL AUIRFZ44NS%2CNL.pdf
AUIRFZ44NSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
258+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 258
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NSTRL INFN-S-A0008053269-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFZ44NSTRL
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
258+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 258
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ44NS D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N
Produktcode: 1322
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

datasheet_irfz44n.pdf
IRFZ44N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBF
Produktcode: 37486
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRPBF
Produktcode: 31849
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSTRRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N,127 IRFZ44N_Rev1.pdf
IRFZ44N,127
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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IRFZ44NL irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NS description 31c8597328d46609722301d7056aa6eb.pdf
IRFZ44NS
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFZ44NSPBF description irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
IRFZ44NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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