VS-4EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 1.23 EUR |
75+ | 1.02 EUR |
150+ | 0.74 EUR |
525+ | 0.62 EUR |
1050+ | 0.53 EUR |
2025+ | 0.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details VS-4EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-4EWH02FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 4 A, Einfach, 950 mV, 27 ns, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252AA, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 27ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: VS-4E, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote VS-4EWH02FN-M3 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-4EWH02FN-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | Rectifiers 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt |
auf Bestellung 2171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
VS-4EWH02FN-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-4EWH02FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 4 A, Einfach, 950 mV, 27 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 27ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: VS-4E productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
VS-4EWH02FN-M3 | Hersteller : Vishay | Diode Switching 200V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
VS-4EWH02FN-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; DPAK Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
VS-4EWH02FN-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; DPAK Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |