TSM500P02CX RFG

TSM500P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM500P02CX_B1811.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
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Technische Details TSM500P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V.

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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm500p02cx_b1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm500p02cx_b1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm500p02cx_b1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02CX_B1811.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm500p02cx_b1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM500P02CX_B1811.pdf MOSFET -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM500P02CX_B1811.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TSM500P02CX RFG TSM500P02CX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM500P02CX_B1811.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhanced
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TSM500P02CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM500P02CX_B1811.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 85mOhm; 4,7A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM500P02CX RFG TSM500P02CX TTSM500p02cx
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