STW56N65M2 STMicroelectronics
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Technische Details STW56N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STW56N65M2 nach Preis ab 8.98 EUR bis 15.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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STW56N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 358W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V |
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STW56N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STW56N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW56N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW56N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
STW56N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com |
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| STW56N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31A Pulsed drain current: 196A Power dissipation: 358W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW56N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31A Pulsed drain current: 196A Power dissipation: 358W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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