STGW20IH125DF STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: IGBT 1250V 40A 259W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.45 EUR |
| 30+ | 3.53 EUR |
| 120+ | 3.03 EUR |
| 510+ | 2.69 EUR |
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Technische Details STGW20IH125DF STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 259W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STGW20IH125DF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20IH125DF Produktcode: 180888 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 1250V 20A trench gate field-stop IGBT |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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