STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics
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Technische Details STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD2HNK60Z-1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.37 EUR
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2HNK60Z-1 Produktcode: 88433 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD2HNK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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