STD12NF06T4

STD12NF06T4 STMicroelectronics


STD12NF06T4.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
133+0.54 EUR
148+ 0.48 EUR
186+ 0.38 EUR
197+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STD12NF06T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote STD12NF06T4 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics STD12NF06T4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
133+0.54 EUR
148+ 0.48 EUR
186+ 0.38 EUR
197+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 133
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.77 EUR
5000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 8702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.87 EUR
12+ 1.53 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics std12nf06t4-1850294.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.94 EUR
10+ 1.58 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.85 EUR
2500+ 0.8 EUR
5000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00002756.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics 1528199503304884cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Hersteller : STMicroelectronics std12nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar