STD11N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 1.23 EUR |
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Technische Details STD11N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 85W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD11N65M5 nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS |
auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD11N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STD11N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STD11N65M5 Produktcode: 122180 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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