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SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3 VISHAY


Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details SQJ840EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: To Be Advised.

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