SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPA07N60C3XKSA1 nach Preis ab 1.53 EUR bis 4.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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SPA07N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
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