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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
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SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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151+ | 1.03 EUR |
176+ | 0.85 EUR |
178+ | 0.81 EUR |
259+ | 0.53 EUR |
260+ | 0.51 EUR |
500+ | 0.4 EUR |
1000+ | 0.28 EUR |
SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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434+ | 0.36 EUR |
SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.58 EUR |
SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+ | 0.41 EUR |
SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+ | 0.42 EUR |
SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIA433EDJ-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
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