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SCT4013DRC15

SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor


sct4013dr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
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Technische Details SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor

Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V, Power Dissipation (Max): 312W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V.

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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Hersteller : ROHM sct4013dr-e.pdf Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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