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RN1109,LXHF(CT

RN1109,LXHF(CT Toshiba

RN1109_datasheet_en_20210830-2584092.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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Technische Details RN1109,LXHF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416).