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Technische Details RGT40TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RGT40TS65DGC13 nach Preis ab 7.3 EUR bis 11.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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RGT40TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 40 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 144 W |
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RGT40TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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