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RFP12N10L

RFP12N10L ONSEMI

RFP12N10L.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
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Technische Details RFP12N10L ONSEMI

Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ONSEMI RFP12N10L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : onsemi rfp12n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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500+ 1.05 EUR
1000+ 0.86 EUR
2000+ 0.81 EUR
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : onsemi / Fairchild RFP12N10L_D-2319858.pdf MOSFET TO-220AB N-Ch Power
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500+ 1.05 EUR
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ONSEMI rfp12n10l-d.pdf Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP12N10L Hersteller : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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RFP12N10L Hersteller : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
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10+2.88 EUR
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RFP12N10L RFP12N10L
Produktcode: 86863 		rfp12n10l-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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