PZT751T1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1000+ | 0.23 EUR |
2000+ | 0.21 EUR |
5000+ | 0.2 EUR |
10000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details PZT751T1G onsemi
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PZT751T1G nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PZT751T1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP |
auf Bestellung 30100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT751T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 15747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT751T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PZT751T1G Produktcode: 86620 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
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PZT751T1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PZT751T1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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