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PDTC143ET.215(Transistor)

PDTC143ET.215(Transistor) NXP

pdtc143e_ser-datasheet.pdf
Produktcode: 55983
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
ZCODE: SMD
verfügbar 621 Stück:
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 37011 Stücke:
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8000+0.02 EUR
9434+ 0.016 EUR
24000+ 0.011 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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3000+0.035 EUR
6000+ 0.033 EUR
9000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3547+0.044 EUR
9000+ 0.033 EUR
24000+ 0.022 EUR
45000+ 0.02 EUR
99000+ 0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 3547
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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24000+ 0.022 EUR
45000+ 0.02 EUR
99000+ 0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 3572
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC143E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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500+0.14 EUR
658+ 0.11 EUR
1051+ 0.068 EUR
1352+ 0.053 EUR
1880+ 0.038 EUR
2110+ 0.034 EUR
3624+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC143E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
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658+ 0.11 EUR
1051+ 0.068 EUR
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3624+ 0.02 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1018+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1018
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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124+ 0.14 EUR
228+ 0.077 EUR
500+ 0.061 EUR
1000+ 0.042 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC143ET-3162284.pdf Digital Transistors PDTC143ET/SOT23/TO-236AB
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19+ 0.15 EUR
100+ 0.077 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.033 EUR
24000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 11
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc143e_series_9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2242057.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc143e_series_9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTC143ET,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTC143ET.pdf Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 4,7; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
170+0.039 EUR
182+ 0.034 EUR
197+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 170
PDTC143ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC143ET.pdf SOT-23
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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LL4148
Produktcode: 2413		 FAIR-S-A0002364043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
47uH 10% 1210 (LQH32CN470K23L-Murata) Induktivität
Produktcode: 48961
47uH 10% 1210 (LQH32CN470K23L-Murata) Induktivität
Hersteller: Murata
Drosseln > Induktivität 1210
Номінал: 1210
Точність: 47uH
Габарити або типорозмір: ±10%
Опис і характеристики: Draht auf Ferrit
auf Bestellung 427 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Relais TQ2-12V Panasonic
Produktcode: 29684		 mech_eng_tq.pdf
Relais TQ2-12V Panasonic
Hersteller: Panasonic
Relais
Relaistyp: Relais hochsensible
Beschreibung: 2 Form C, 1 Form A 30VDC, PC Board Terminal Type, Gold Contact
Abmessungen: 14x9x5mm
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max: 1 A
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 125 VAC; 30 VDC
auf Bestellung 2616 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
10+ 1.54 EUR
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147		 cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 71044 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.2 EUR
100+ 0.02 EUR
1000+ 0.0069 EUR
10000+ 0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
100pF 50V NP0 5% 0805 (CL21C101JBANNNC-Samsung) (конденсатор керамический SMD)
Produktcode: 114831		 cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100pF 50V NP0 5% 0805 (CL21C101JBANNNC-Samsung) (конденсатор керамический SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
auf Bestellung 819 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)