NTE2372 NTE Electronics, Inc
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Technische Details NTE2372 NTE Electronics, Inc
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -2A, Pulsed drain current: -14A, Power dissipation: 40W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.5Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NTE2372 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE2372 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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