MSC017SMA120B Microchip Technology
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Technische Details MSC017SMA120B Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC017SMA120B nach Preis ab 65.86 EUR bis 87.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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MSC017SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 80A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247 |
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MSC017SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 80A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of channel: enhanced |
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