MRFE6VP100HR5 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 217.54 EUR |
| 10+ | 201.36 EUR |
| 25+ | 194.04 EUR |
| 50+ | 189.22 EUR |
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Technische Details MRFE6VP100HR5 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP100HR5 nach Preis ab 183.94 EUR bis 241.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MRFE6VP100HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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