MMBT5088LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT5088LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote MMBT5088LT1G nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 300...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 300...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5088LT1G |
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MMBT5088LT1G Produktcode: 204241 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MMBT5088LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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