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MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F Diodes Zetex

mmbt3906.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT3906-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 300mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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695+ 0.1 EUR
807+ 0.089 EUR
1220+ 0.059 EUR
1467+ 0.049 EUR
1869+ 0.039 EUR
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 300mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012992517_1-2513078.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
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24000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 16
MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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130+ 0.14 EUR
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012992517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 72821 Stücke:
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012992517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30059.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30059.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906 -7-F Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT3906-1301367.pdf Bipolar Transistors - BJT
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