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MKT 100nF 400VDC 5% P=10mm (SPKF022G104J100B) Spark Capacitors
Produktcode: 85438
Hersteller: Spark CapacitorsKapazität: 100nF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 11,5х10х4mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 17x11x6 mm
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Möglichen Substitutionen MKT 100nF 400VDC 5% P=10mm (SPKF022G104J100B) Spark Capacitors
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MER 100nF 400V K(+/-10%), P=10mm, 8.5x13.5x13mm (MER104K2GBA-Hitano) Produktcode: 41898 |
Hersteller : Hitano |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 100nF Nennspannung, V: 400VDC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 8,5x13,5x13mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С Part Nummer: MER104K2GBA ZCODE: 8532 29 00 00 |
verfügbar: 2608 Stück
erwartet:
3 Stück
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MKT 100nF 400VDC 5% P=10mm (STCL21-104K2GL10) Produktcode: 177007 |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 100 nF Nennspannung, V: 400 VDC Präzision: ±5% J Abstand ausg. und Abmessungen: 10 mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер |
auf Bestellung 467 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BZV85-C3V6 Produktcode: 23986 |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 3,6
Istab.direkt,A: 0,277
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -3.5 до -1.0mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 3,6
Istab.direkt,A: 0,277
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -3.5 до -1.0mV/K
auf Bestellung 585 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.04 EUR |
100+ | 0.036 EUR |
BT152X-800 Produktcode: 23641 |
Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220F
U,zu,V: 800 V
I-auf,mA: 3 mA
Imax,A: 20 A
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220F
U,zu,V: 800 V
I-auf,mA: 3 mA
Imax,A: 20 A
Produkt ist nicht verfügbar
BD140 Produktcode: 15292 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1288 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
1 kOhm 5% 0,5W Ausfuhr. (CR050SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 15046 |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 350V
Größe Typ: 6x2,3mm, DAusfuhr.=0,55mm
Typ: Kohlen- ausfuhrungs- miniatur
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 350V
Größe Typ: 6x2,3mm, DAusfuhr.=0,55mm
Typ: Kohlen- ausfuhrungs- miniatur
verfügbar: 8918 Stück
erwartet:
5000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.011 EUR |
100+ | 0.0078 EUR |
1000+ | 0.0062 EUR |
BD139 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 4745 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 8 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.1 EUR |