MJD45H11-13
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Technische Details MJD45H11-13
Description: LINEAR IC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
Weitere Produktangebote MJD45H11-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MJD45H11-13 | Hersteller : Diodes Inc | Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD45H11-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: LINEAR IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
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| MJD45H11-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K |
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