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K4B4G0846E-BYMA0CV

K4B4G0846E-BYMA0CV Samsung Semiconductor

2ds_k4b4g0846e_by_m_rev1_31-0.pdf Hersteller: Samsung Semiconductor
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V/1.5V 78-Pin FBGA
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Technische Details K4B4G0846E-BYMA0CV Samsung Semiconductor

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V/1.5V 78-Pin FBGA.