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IS62WV51216BLL-55TLI

IS62WV51216BLL-55TLI ISSI

62wv51216all.pdf Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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Technische Details IS62WV51216BLL-55TLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 5 - 48 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI is62wv51216all.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 3.3V; 55ns; TSOP44; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 55ns
Kind of interface: parallel
Memory: 8Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP44
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI is62wv51216all.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 3.3V; 55ns; TSOP44; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 55ns
Kind of interface: parallel
Memory: 8Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP44
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI 62wv51216all.pdf SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI 62wv51216all.pdf SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI 62wv51216all.pdf SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 62WV51216ALL.pdf Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : ISSI 62WV51216ALL-258554.pdf SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
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IS62WV51216BLL55TLI Hersteller : ISSI
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Produktcode: 174142 		62WV51216ALL.pdf IC > IC Speicher
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IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 661502.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL
productTraceability: No
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SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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