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Technische Details IS61WV25616FBLL-10BLI ISSI
Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2, Packaging: Bulk, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16.
Weitere Produktangebote IS61WV25616FBLL-10BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IS61WV25616FBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS61WV25616FBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS61WV25616FBLL-10BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2 Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 |
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